Mewnbwn Digidol
- Rhwystrau Diogelwch Arunig
- Arwahanwyr Signalau
- Dyfeisiau Amddiffynnol Ymchwydd
- Teithiau Cyfnewid Diogelwch
- Modiwlau I/O Deallus Arunig
- Pyrth Deallus
- Trosglwyddyddion Optegol Data Diwydiannol
- Dadansoddwyr Pwynt Dew Ar-lein
- Modiwlau Caffael Data
- Trawsnewidydd data HART
PHD-12TF-288
Manylebau Cynnyrch
| Foltedd cyflenwad | 20 ~ 35VDC, defnydd pŵer |
| Signal mewnbwn | Newid switsh cyswllt/agosrwydd |
| Cyflenwi foltedd o ochr y synhwyrydd ar y safle | 8V |
| Nodweddion mewnbwn signal | Cerrynt mewnbwn ar y safle: > 2.1mA, mae'n golygu ON; Cerrynt mewnbwn ar y safle: Hysteresis switsh: 0.2ms |
| Nodweddion allbwn transistor | Allyrrydd transistor math NPN neu gasglwr allbwn cylched agored, capasiti gyriant: cerrynt allbwn ≤20mA (1.2KΩ), cerrynt mwyaf mewnol 100mA. Yn meddu ar amddiffyniad cerrynt cylched byr |
| Rheolaeth wedi'i newid rhwng cam gwrthdro a chyfnod arferol allbynnau ec | Pan fydd y switsh deialu K1 ar "YMLAEN", mae allbwn y transistor ec mewn cyfnod gwrthdro Pan fydd y switsh deialu K1 ar "OFF", mae allbwn y transistor ec yn y cyfnod arferol Pan fydd y K2 yn "ON", bydd y cylched yn dewis y swyddogaeth larwm arwydd golau coch |
| Yn dangos swyddogaeth larwm ysgafn | Cerrynt mewnbwn maes > 7mA, larwm cylched byr (SC), cerrynt mewnbwn ar y safle |
| Nifer y mewnbwn ac allbwn | 1 mewnbwn 2 allbwn |
| Offer maes sy'n berthnasol | Cyswllt sych neu switsh agosrwydd NAMUR yn unol â safon DIN 19234. |
| Paramedr tymheredd | Tymheredd gweithio: -20 ℃ ~ + 60 ℃, tymheredd storio: -40 ℃ ~ + 80 ℃ |
| Lleithder aer cymharol | 10% ~ 95% RH heb anwedd |
| Nerth dielectrig | Rhwng ochr gynhenid ddiogel a'r ochr nad yw'n gynhenid ddiogel (≥ 3000VAC/min); rhwng cyflenwad pŵer a therfynell nad yw'n gynhenid ddiogel (≥ 1500VAC / mun) |
| Gwrthiant inswleiddio | ≥100MΩ (rhwng mewnbwn/allbwn/cyflenwad pŵer) |
| Dimensiynau allanol | Trwch 12.5mm x lled 108mm x uchel 118mm |
| Cydweddoldeb electromagnetig | Yn ôl IEC 61326-1 (GB / T 18268), IEC 61326-3-1 |
| Marc atal ffrwydrad | [Exia Ga]IIC |
| Ardystiad diogelwch swyddogaethol | SIL3 yn unol â safonau IEC 61508 EN 61511 |
| Corff Ardystio | CQST (Canolfan Goruchwylio a Phrofi Ansawdd Genedlaethol Tsieina ar gyfer Cynhyrchion Trydanol a Ddiogelir gan Ffrwydrad) |
| Paramedrau ardystiedig (rhwng terfynellau 3-4) | Um=250V Uo=10.5V Io=15mA Co=1.7μF Lo=150mH Po=39.4mW |
| Gofynion safle gosod | Gellir ei gysylltu ag offerynnau mewn parth 0 gyda nwy peryglus ⅡA, ⅡB, ⅡC |
| MTBF | ≤100000h |
Diagram gwifrau
Aseiniadau terfynell a dimensiynau
Terfynell | Aseiniadau terfynell | |
9 | Cyflenwad pŵer + | 20～35VDC |
10 | Cyflenwad pŵer - | |
3 | Mewnbwn+ | |
4 | Mewnbwn- | |
5 | Allbwn transistor 1+ | |
6 | Allbwn transistor 1- | |
7 | Allbwn transistor 2+ | |
8 | Allbwn transistor 2- | |
