PHD-11TP-23

მიწოდების ძაბვა

20~35VDC, ენერგიის მოხმარება დაახლოებით 2.0W

უზრუნველყოფილი ძაბვა

ღია წრედის ძაბვა≤25V, მოწოდებული ძაბვა ≥16V დატვირთვისას 25mA

შეყვანის სიგნალი

სიხშირე ≤100KHz, ამპლიტუდა ≤24V, სამუშაო ციკლი ≥20%, მაღალი დონე ≥4V, დაბალი დონე ≤1V

გამომავალი სიგნალი

სიხშირე 1:1 გამომავალი, მაღალი დონე ≥20V, დაბალი დონე ≤0.5V, მამოძრავებელი დენი ≤15mA, დატვირთვის წინააღმდეგობა ≥1KΩ

შეყვანის და გამომავალი არხების რაოდენობა

1 შეყვანა 1 გამომავალი

მოქმედი საველე აღჭურვილობა

სიხშირის აღჭურვილობა

ტემპერატურის პარამეტრები

სამუშაო ტემპერატურა: -20℃~+60℃, შენახვის ტემპერატურა:-40℃~+80℃

Ფარდობითი ტენიანობა

10%~95% RH კონდენსაციის გარეშე

დიელექტრიკული სიძლიერე

არსებითად უსაფრთხო და არაშინაგანად უსაფრთხო მხარეს შორის (≥ 3000VAC/წთ); ელექტრომომარაგებასა და არსებითად უსაფრთხო ტერმინალს შორის (≥ 1500VAC/წთ)

Იზოლაციის წინააღმდეგობა

≥100MΩ (შემავალ/გამომავალ/მომარაგებას შორის)

გარე ზომები

სისქე 12.5 მმ x სიგანე 108 მმ x სიმაღლე 118 მმ

ელექტრომაგნიტური თავსებადობა

IEC 61326-1 (GB/T 18268), IEC 61326-3-1 მიხედვით

აფეთქებაგამძლე ნიშანი

[Exia Ga]IIC

სერტიფიცირების ორგანო

CQST (ჩინეთის ეროვნული ხარისხის ზედამხედველობისა და ტესტირების ცენტრი აფეთქებისგან დაცული ელექტრო პროდუქტებისთვის)

ავთენტიფიკაციის პარამეტრები (ტერმინალებს შორის 1-2)

Um=250V Uo=28V Io=93mA Co=0.05μF Lo=2.4mH Po=0.65W

ავთენტიფიკაციის პარამეტრები (3-4 ტერმინალებს შორის)

Um=250V Uo=8V Io=2.5mA Co=3.5μF Lo=100mH Po=5mW

ინსტალაციის ადგილის მოთხოვნები

მისი დაკავშირება შესაძლებელია 0 ზონის ინსტრუმენტებთან ⅡA, ⅡB, ⅡC საშიში გაზით

MTBF

დაახლოებით 100000 სთ