PHD-11TP-23

Шиддати таъминот

20 ~ 35VDC, истеъмоли қувваи барқ ​​​​тақрибан 2,0 Вт

Шиддати таъминшуда

Шиддати занҷири кушода ≤25V, шиддати таъминшуда ≥16V ҳангоми сарбории 25mA

Сигнали вуруд

Басомад ≤100KHz, амплитуда ≤24V, давраи вазифа ≥20%, сатҳи баланд ≥4V, сатҳи паст ≤1V

Сигнали баромад

Басомади 1: 1 баромад, сатҳи баланд ≥20V, сатҳи паст ≤0.5V, ҷараёни ронандагӣ ≤15mA, муқовимати сарборӣ ≥1KΩ

Шумораи каналҳои вуруд ва баромад

1 вуруд 1 баромад

Таҷҳизоти татбиқшавандаи саҳроӣ

Таҷҳизоти басомад

Параметрҳои ҳарорат

Ҳарорати корӣ: -20 ℃ ~ + 60 ℃, ҳарорати нигоҳдорӣ: -40 ℃ ~ + 80 ℃

Рутубати нисбӣ

10% ~ 95% RH бе конденсат

Қувваи диэлектрикӣ

Байни паҳлӯи аз ҷиҳати дохилӣ бехатар ва ғайримоҳири бехатар (≥ 3000VAC/дақ); байни таъминоти барқ ​​ва терминали аз ҷиҳати дохилӣ бехатар (≥ 1500VAC/дақ)

Муқовимат ба изолятсия

≥100MΩ (байни вуруд / баромад / таъминоти барқ)

Андозаҳои беруна

Ғафсӣ 12,5 мм х бар 108 мм х баланд 118 мм

Мутобиқати электромагнитӣ

Мувофиқи IEC 61326-1 (GB/T 18268), IEC 61326-3-1

Нишони ба таркиш тобовар

[Exia Ga]IIC

Мақомоти сертификатсия

CQST (Маркази миллии назорати сифат ва озмоиши маҳсулоти барқии аз таркиш муҳофизатшавандаи Чин)

Параметрҳои аутентификатсия (байни терминалҳои 1-2)

Um=250V Uo=28V Io=93mA Co=0.05μF Lo=2.4mH Po=0.65W

Параметрҳои аутентификатсия (байни терминалҳои 3-4)

Um=250V Uo=8V Io=2.5mA Co=3.5μF Lo=100mH Po=5mW

Талаботи макони насб

Онро бо асбобҳо дар минтақаи 0 бо гази хатарноки ⅡA, ⅡB, ⅡC пайваст кардан мумкин аст.

MTBF

Тақрибан 100 000 соат