Силсилаи H Монеаҳои бехатарии васлкунии пушти панел
- Монеаҳои бехатарии ҷудошуда
- Изоляторҳои сигнал
- Таҷҳизоти муҳофизаткунандаи шиддат
- Релеҳои бехатарӣ
- Модулҳои ҷудошудаи интеллектуалии вуруд / баромад
- Дарвозаҳои интеллектуалӣ
- Интиқолдиҳандаҳои оптикии маълумотҳои саноатӣ
- Таҳлилгарони онлайни нуқтаи шабнам
- Модулҳои ба даст овардани маълумот
- Табдилдиҳандаи маълумот HART
PHD-12HD-211
Барраси
Монеаи бехатарии ҷудошуда дар паҳлӯи ошкор: PHD-12HD-211, вуруд ва баромади аналогӣ, як вуруд ва баромади дугона.
Монеаи ҷудошуда метавонад сигнали 4 ~ 20 мА ё сигнали доимии 4 ~ 20 мА-ро, ки интиқолдиҳанда дар минтақаи хатарнок тавлид мекунад, ҷудо ва интиқол диҳад. Вақте ки интиқолдиҳанда системаи ду сим ё се сим аст, монеаи бехатарӣ интиқолдиҳандаро қувваи барқ мегардонад.
Ин маҳсулот ба таъминоти мустақили барқ ниёз дорад.
Ин маҳсулот сигнали HART ва ҳушдори ҷудокуниро дастгирӣ мекунад.
Мушаххасоти
| Шиддати таъминот | 20 ~ 35VDC, истеъмоли қувваи барқ |
| Таъмини қувваи барқ бо қувваи таъминшуда | Вақте ки баромади схема 20 мА аст, шиддати додашуда ≥16V аст |
| Сигнали вуруд | Интиқолдиҳандаи ду сим ё се сим ё сигнали манбаи ҷорӣ (HART) |
| Сигнали баромад | 4~20мА (HART) |
| Иҷозати иқтидори сарбории баромад | 0 ~ 500Ω (созишшаванда) |
| Дурустии баромад | 0,1% FS (Арзиши маъмулӣ: 0,05% FS) |
| Тағйирёбии ҳарорат | 0,005% FS/℃ |
| Шумораи воридот ва баромад | 1 вуруд 2 баромад |
| Таҷҳизоти татбиқшавандаи саҳроӣ | Интиқолдиҳандаи 2-сим, 3-сим ва сигнали манбаи ҷорӣ, ин маҳсулот барои ABB, Fisher, Rosemount, Honeywell 11, инчунин 3351, EJA, SIEMENS ва дигар маҳсулот бо технологияи воридотӣ |
| Параметри ҳарорат | Ҳарорати корӣ: -20 ℃ ~ + 60 ℃, ҳарорати нигоҳдорӣ: -40 ℃ ~ + 80 ℃ |
| Рутубати нисбӣ | 10% ~ 95% RH бе конденсат |
| Қувваи изолятсия | Байни паҳлӯи аз ҷиҳати дохилӣ бехатар ва ҷанбаи ғайримотиқии бехатар (≥3000VAC/дақ); байни таъмини қувваи барқ ва тарафи ғайримоддӣ бехатар (≥1500VAC/дақ) |
| Муқовимат ба изолятсия | ≥100MΩ (байни вуруд / баромад / таъминоти барқ) |
| Андозаҳои беруна | Ғафсӣ 15,8 мм * паҳно 104,8 мм * баланд 116,1 мм |
| Мутобиқати электромагнитӣ | Мувофиқи IEC 61326-1 (GB/T 18268), IEC 61326-3-1 |
| Нишони ба таркиш тобовар | [Exia Ga]IIC, [Exia Da]IIIC |
| Сертификатсияи бехатарии функсионалӣ | SIL2 мувофиқи стандартҳои IEC 61508 EN 61511 |
| Органи сертификатсия | CQST (Маркази миллии назорати сифат ва озмоиши маҳсулоти барқии аз таркиш муҳофизатшавандаи Чин) |
| Параметрҳои сертификатсияшуда (байни терминалҳои 1-3) Параметрҳои сертификатсияшуда (байни терминалҳои 2-3,2-1) | Um=250V Uo=7.2V Io=-- Po=-- Co=12μF Lo=-- Um=250V Uo=28V Io=93mA Po=0.65W Co=0.083μF Lo=4.2mH |
| Талаботи макони насб | Онро бо асбобҳо дар минтақаи 0 бо гази хатарноки ⅡA, ⅡB, ⅡC пайваст кардан мумкин аст. |
| MTBF | ≤100000с |
Диаграммаи пайвастшавӣ
